申请/专利权人：张家港意发功率半导体有限公司

申请日：2023-11-30

公开（公告）日：2024-03-01

公开（公告）号：CN117637859A

主分类号：H01L29/872

分类号：H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.19#实质审查的生效;2024.03.01#公开

摘要：本发明公开了一种准纵向GaN肖特基结势垒二极管及其制备方法，所述二极管包括N+GaN衬底、N‑GaN漂移区、Si3N4钝化层、肖特基势垒层、阳极金属、阴极金属，N‑GaN漂移区、Si3N4钝化层均位于N+GaN衬底的上方,N‑GaN漂移区的上表面设置有向下凹陷的多个P型GaN槽，Si3N4钝化层包括第一钝化层与第二钝化层，第一钝化层位于N‑GaN漂移区的外侧且第一钝化层的上表面与P型GaN槽部分接触，第二钝化层位于第一钝化层的外侧，N‑GaN漂移区的上表面设置有肖特基势垒层，肖特基势垒层的顶部覆盖有阳极金属，第二钝化层的顶部覆盖有阴极金属，第二钝化层的厚度大于第一钝化层的厚度。该二极管既能在正向导通时，有较小的开启电压和导通电阻；又能在反向阻断时，保证较高的耐压能力。

主权项：1.一种准纵向GaN肖特基结势垒二极管，其特征在于，所述二极管包括N+GaN衬底、N-GaN漂移区、Si3N4钝化层、肖特基势垒层、阳极金属、阴极金属，所述N-GaN漂移区、Si3N4钝化层均位于所述N+GaN衬底的上方,N-GaN漂移区的上表面设置有向下凹陷的多个P型GaN槽，Si3N4钝化层包括第一钝化层与第二钝化层，所述第一钝化层位于N-GaN漂移区的外侧且第一钝化层的上表面与P型GaN槽部分接触，第二钝化层位于第一钝化层的外侧，所述N-GaN漂移区的上表面设置有肖特基势垒层，所述肖特基势垒层的顶部覆盖有阳极金属，所述第二钝化层的顶部覆盖有阴极金属，所述第二钝化层的厚度大于第一钝化层的厚度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 张家港意发功率半导体有限公司 一种准纵向GaN肖特基结势垒二极管及其制备方法

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