申请/专利权人：恩智浦美国有限公司

申请日：2023-07-05

公开（公告）日：2024-03-01

公开（公告）号：CN117637630A

主分类号：H01L23/31

分类号：H01L23/31;H01L23/48;H01L21/56

优先权：["20220830 US 17/823,122"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.01#公开

摘要：一种功率放大器装置包括基板，所述基板由交替的电介质层和图案化导电层的堆叠以及电连接所述图案化导电层的导电通孔形成。所述基板具有在第一基板表面处暴露的一组基板管芯接触件，以及穿过所述第一基板表面的一部分延伸到所述基板中的位于所述一组基板管芯接触件之间的气腔。功率晶体管管芯具有在第一管芯表面处的连接到所述基板管芯接触件的第一管芯接触件和第二管芯接触件。所述功率晶体管管芯还包括在所述管芯的有源区域中的集成晶体管。所述集成晶体管包括耦合到所述第一管芯接触件的控制端，以及耦合到所述第二管芯接触件的第一导电端。所述有源区域与第一气腔对准。

主权项：1.一种具有第一装置表面和相对的第二装置表面的功率放大器装置，其特征在于，所述功率放大器装置包括：基板，其由呈交替布置的多个电介质层和多个图案化导电层的堆叠以及电连接所述图案化导电层的多个导电通孔形成，其中所述基板具有第一基板表面、相对的第二基板表面、在所述第一基板表面处暴露的第一组基板管芯接触件以及被定义为所述第一基板表面的一部分的位于所述第一组基板管芯接触件之间的第一区；第一气腔，其穿过所述第一区延伸到所述基板中，其中所述第一气腔具有在所述第一基板表面处的近侧末端；以及第一功率晶体管管芯，其具有第一管芯表面和相对的第二管芯表面，并且包括在所述第一管芯表面处且分别连接到所述第一组基板管芯接触件中的第一基板管芯接触件和第二基板管芯接触件的第一管芯接触件和第二管芯接触件，以及在所述第一功率晶体管管芯的有源区域中的至少一个集成晶体管，其中所述至少一个集成晶体管包括耦合到所述第一管芯接触件的控制端以及耦合到所述第二管芯接触件的第一导电端，并且其中所述有源区域与所述第一气腔对准。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 恩智浦美国有限公司 在管芯上方具有气腔的封装式功率放大器装置

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