申请/专利权人：桑迪士克科技有限责任公司

申请日：2022-05-14

公开（公告）日：2024-03-05

公开（公告）号：CN117652217A

主分类号：H10B43/27

分类号：H10B43/27;H10B43/50;H10B43/35;H10B43/10

优先权：["20211026 US 17/510,833"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.22#实质审查的生效;2024.03.05#公开

摘要：在衬底上方形成绝缘层和间隔物材料层的交替堆叠。该间隔物材料层形成为导电层，或者随后被该导电层替换。穿过该交替堆叠形成存储器开口和支撑开口。该存储器开口以具有平行于第一水平方向的最近相邻方向的第一六边形阵列进行布置，并且该支撑开口以具有垂直于该第一水平方向的最近相邻方向的第二六边形阵列进行布置。存储器开口填充结构在该存储器开口中的相应一个存储器开口内形成，并且支撑柱结构在该支撑开口中的相应一个支撑开口内形成。

主权项：1.一种三维存储器器件，所述三维存储器器件包括：绝缘层和导电层的交替堆叠，所述交替堆叠位于衬底上方，其中所述交替堆叠包括：存储器阵列区，在所述存储器阵列区中存在所述交替堆叠内的每个层；以及阶梯区，在所述阶梯区中，所述导电层的横向范围随距所述衬底的竖直距离而减小；存储器开口，所述存储器开口竖直延伸穿过所述存储器阵列区中的所述交替堆叠并且各自具有第一横向尺寸；存储器开口填充结构，所述存储器开口填充结构位于所述存储器开口中的相应一个存储器开口内，其中所述存储器开口填充结构以具有平行于第一水平方向的最近相邻方向的第一六边形阵列进行布置；支撑开口，所述支撑开口竖直延伸穿过所述阶梯区中的所述交替堆叠，并且各自具有不同于所述第一横向尺寸的第二横向尺寸；和支撑柱结构，所述支撑柱结构位于所述支撑开口中的相应一个支撑开口内，其中所述支撑柱结构以具有垂直于所述第一水平方向的最近相邻方向的第二六边形阵列进行布置。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 桑迪士克科技有限责任公司 具有正交存储器开口和支撑开口阵列的三维存储器器件及其制造方法

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