申请/专利权人：浙江大学

申请日：2023-12-19

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：CN117673027A

主分类号：H01L23/525

分类号：H01L23/525;H01L23/62

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.26#实质审查的生效;2024.03.08#公开

摘要：本发明公开了一种efuse器件结构及其制备方法，以解决现有efuse存在的编程电压偏高以及熔断过于剧烈而引起的一系列问题，包括衬底和生长在衬底上的绝缘层；生长在所述绝缘层上的第一电极区、第二电极区和连接所述第一电极区和第二电极区的熔丝区，以及仅生长在所述熔丝区中间区域的低熔点材料。通过在熔丝区中间区域引入低熔点材料，控制efuse在中间区域发生熔断，避免了熔断区域与接触点的直接接触，同时在编程过程中，低熔点材料会比其他区域的材料更早融化而发生熔断，降低了编程电压，缩短了编程时间，提高了编程效率。

主权项：1.一种efuse器件结构，其特征在于，包括衬底和生长在衬底上的绝缘层；生长在所述绝缘层上的第一电极区、第二电极区和连接所述第一电极区和第二电极区的熔丝区，以及仅生长在所述熔丝区中间区域的低熔点材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江大学 一种efuse器件结构及其制备方法

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