申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2023-11-27

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN117712086A

主分类号：H01L23/525

分类号：H01L23/525;H01L23/367;H01L23/373

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.02#实质审查的生效;2024.03.15#公开

摘要：本发明提供一种Efuse单元版图结构，Efuse阴极结构以及与该Efuse阴极结构通过熔丝结构衔接的阳极结构；位于熔丝结构两侧的阻挡散热结构；其中熔丝结构每一侧的阻挡散热结构的数量至少为一个；阻挡散热结构的版图形状为条状结构，并且阻挡散热结构沿其长度方向平行于熔丝结构；阻挡散热结构包括阻挡层结构和位于阻挡层结构上方的金属层结构，阻挡层结构通过通孔连接金属层结构；阻挡层结构用于阻挡Efuse爆炸时产生的溅射；金属层结构用于快速散热；阻挡散热结构用以保护位Efuse周围的器件。

主权项：1.一种Efuse单元版图结构，其特征在于，至少包括：Efuse阴极结构以及与该Efuse阴极结构通过熔丝结构衔接的阳极结构；位于所述熔丝结构两侧的阻挡散热结构；其中所述熔丝结构每一侧的所述阻挡散热结构的数量至少为一个；所述阻挡散热结构的版图形状为条状结构，并且所述阻挡散热结构沿其长度方向平行于所述熔丝结构；所述阻挡散热结构包括阻挡层结构和位于所述阻挡层结构上方的金属层结构，所述阻挡层结构通过通孔连接所述金属层结构；所述阻挡层结构用于阻挡所述Efuse爆炸时产生的溅射；所述金属层结构用于快速散热；所述阻挡散热结构用以保护位于所述Efuse周围的器件。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 一种Efuse单元及其版图结构

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