申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

申请日：2021-05-31

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：CN113571418B

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/78

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.08#授权;2021.11.16#实质审查的生效;2021.10.29#公开

摘要：本发明提供一种FinFET的超级阱形成方法，本发明在形成Fin结构前在硅基底内形成深阱以及阱区，在刻蚀形成Fin的一部分后进行调节阈值电压的离子注入，利用离子注入的侧向扩散进入Fin，同时由于硬掩膜层的存在不会给Fin结构顶部带来离子注入损伤；在刻蚀形成Fin的第二部分后进行抗穿通离子注入，并利用离子注入的侧向扩散进入Fin，最终由深阱、阱区以及调节阈值电压的离子注入和抗穿通离子注入形成FinFET的超级阱，可提高载流子的迁移率，提高了器件的性能。

主权项：1.一种FinFET的超级阱形成方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：步骤一、提供硅基底，在所述硅基底上沉积第一氧化层；在所述硅基底中形成N型深阱；步骤二、在所述N型深阱上方的所述硅基底中形成阱区；步骤三、所述第一氧化层上表面形成硬掩膜层，并在所述硬掩膜层上形成第二氧化层；步骤四、刻蚀所述第二氧化层和所述硬掩膜层至所述第一氧化层上表面为止形成多个相互间隔的结构；步骤五、沿所述结构刻蚀所述第一氧化层和所述硅基底至将所述硅基底露出第一高度为止，形成多个相互间隔的Fin结构；步骤六、进行用于调节阈值电压的离子注入，在暴露的所述硅基底上表面形成第一离子注入层，所述第一离子注入层同时形成于所述Fin结构在所述第一高度的根部两侧；步骤七、沿所述多个相互间隔的Fin结构的侧壁刻蚀所述硅基底至再露出第二高度为止；步骤八、在暴露的所述硅基底上表面形成第二离子注入层；所述第二离子注入层同时形成于所述Fin结构在所述第二高度的根部两侧；步骤九、沿所述多个相互间隔的Fin结构的侧壁刻蚀所述硅基底至再露出第三高度为止；步骤十、进行退火处理，所述Fin结构中的所述第一、第二离子注入层分别侧向扩散占据所述Fin结构的整个宽度区域；同时所述阱区和所述N型深阱分别在所述硅基底内进行纵向扩散；所述阱区扩散至所述硅基底上表面；步骤十一、通过FCVD形成第三氧化层，所述第三氧化层填充于所述多个相互间隔的Fin结构之间的区域；步骤十二、刻蚀所述第三氧化层至露出所述Fin结构中的所述第二离子注入层为止。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 一种FinFET的超级阱形成方法

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