申请/专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所

申请日：2023-07-12

公开（公告）日：2024-03-12

公开（公告）号：CN117684268A

主分类号：C30B29/36

分类号：C30B29/36;C30B23/00;C30B35/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.29#实质审查的生效;2024.03.12#公开

摘要：本发明涉及一种用于宽禁带半导体器件的碳化硅单晶衬底制备方法。该方法是在石墨坩埚外部设有双加热筒结构，两个加热筒产生不同的热量，以实现对碳化硅晶体和源粉的分别控温，形成用于晶体扩径生长的热场；在石墨坩埚内部，碳化硅籽晶粘接到石墨坩埚顶部的石墨盖上，对碳化硅籽晶下方采用的是经过金属碳化物镀膜处理的镀膜导流筒，镀膜导流筒以线性扩大内径尺寸，以实现碳化硅晶体在生长过程沿着镀膜导流筒内壁不断扩径，最终得到大尺寸的碳化硅单晶。减少了传统扩径生长的迭代步骤、多种热场的设计、多种生长工艺的设定以及多轮次的生长实验，节约了大量的人力、物力和时间成本，高效率的实现了无相应籽晶情况下的大尺寸碳化硅单晶的获得。

主权项：1.一种用于宽禁带半导体器件的碳化硅单晶衬底制备方法，其特征在于，所述制备方法是在石墨坩埚外部设有双加热筒结构，分别为上加热筒和下加热筒，两个加热筒产生不同的热量，以实现对碳化硅晶体和源粉的分别控温，实现生长腔内轴向温度梯度和晶体内部径向温度梯度的独立控制，形成用于晶体扩径生长的热场；在所述石墨坩埚内部，碳化硅籽晶粘接到石墨坩埚顶部的石墨盖上，对碳化硅籽晶下方采用的是经过金属碳化物镀膜处理的镀膜导流筒，所述镀膜导流筒以线性扩大内径尺寸，以实现碳化硅晶体在生长过程沿着镀膜导流筒内壁不断扩径，最终得到大尺寸的碳化硅单晶。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种用于宽禁带半导体器件的碳化硅单晶衬底制备方法

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