申请/专利权人：国网福建省电力有限公司;国网福建省电力有限公司电力科学研究院

申请日：2023-11-28

公开（公告）日：2024-03-12

公开（公告）号：CN117688737A

主分类号：G06F30/20

分类号：G06F30/20;H02J7/00;G06F119/06;G06F113/08;G06F111/04;G06F111/18;G06F113/04;G06F119/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.29#实质审查的生效;2024.03.12#公开

摘要：本发明涉及一种MMC‑BESS的功率器件功率损耗计算方法，在考虑到拓扑内部电池子模块功率器件的约束对VSG控制下MMC‑BESS虚拟惯量和功率器件的关系进行了研究，推导了不同等效虚拟惯量下MOSFET和IGBT暂态过程的附加损耗，当虚拟惯量可以满额利用时MOSFET功耗增量更大，当虚拟惯量不能满额利用时其功耗增量取决于自身参数，可以对功率器件选型和控制参数设计做出指导。

主权项：1.一种MMC-BESS的功率器件功率损耗计算方法，其特征在于，包括以下步骤：计算VSG控制下的MMC-BESS处于额定工作状态时流过其电池子模块功率器件的额定电流，当电网频率出现扰动的暂态过程时，构建当前暂态过程中流过电池子模块功率器件的电流相比处于额定工作状态时流过电池子模块功率器件的额定电流的电流变化量计算公式；构建VSG虚拟惯量的折损系数计算公式，通过公式计算得到MMC-BESS的虚拟惯量折损系数，并通过虚拟惯量折损系数判断是否满额利用虚拟惯量；基于上述电流变化量计算公式分别计算MOSFET型与IGBT型电池子模块功率器件的电流变化量，同时计算MOSFET型与IGBT型电池子模块功率器件最大允许流过电流与MMC-BESS处于额定工作状态下对应类型电池子模块功率器件的额定电流的差值；基于上述MOSFET型与IGBT型电池子模块功率器件的电流变化量以及MOSFET型与IGBT型电池子模块功率器件最大允许流过电流与MMC-BESS处于额定工作状态下对应类型电池子模块功率器件的额定电流的差值分别计算在满额与非满额利用虚拟惯量的情况下MOSFET型与IGBT型电池子模块功率器件的功率损耗。

全文数据：

权利要求：

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