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【发明授权】一种PEDOT材料、量子点发光二极管及制备方法_TCL科技集团股份有限公司_202011602764.X 

申请/专利权人:TCL科技集团股份有限公司

申请日:2020-12-29

公开(公告)日:2024-03-12

公开(公告)号:CN114685811B

主分类号:C08J3/00

分类号:C08J3/00;C08J5/18;C08L65/00;D01F6/74;H10K50/15;H10K50/115;H10K85/10;H10K71/00

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.03.12#授权;2022.07.19#实质审查的生效;2022.07.01#公开

摘要:本发明公开一种PEDOT材料、量子点发光二极管及制备方法,所述PEDOT材料的制备方法包括:将PEDOT:PSS与聚丙烯腈纳米纤维混合,得到PEDOT:PSS结合于聚丙烯腈纳米纤维表面的混合物;将混合物与酸混合,PSS和聚丙烯腈纳米纤维发生水解反应,PEDOT在聚丙烯腈纳米纤维表面重结晶并从水溶液中析出,得到PEDOT材料。利用高结晶度的聚丙烯腈纳米纤维作为牺牲模板诱导制备得到高结晶度的PEDOT材料。一方面降低PSS的含量,另一方面提高PEDOT分子链聚集的结晶度,从而提高PEDOT成膜后的导电率。采用该PEDOT材料作为空穴传输材料,可以提高空穴传输层的导电率,从而提高器件的发光效率。

主权项:1.一种PEDOT材料的制备方法,其特征在于,包括步骤:将PEDOT:PSS与聚丙烯腈纳米纤维按(0.5-5mL):(1-20mg)的比例进行混合,得到混合物;将所述混合物与酸按(0.5-2mL):(0.5-5mL)的比例进行混合反应,得到PEDOT材料;所述酸的质量浓度为50-70%,所述反应的时间为20-90min;所述PEDOT材料的结晶度在70%以上。

全文数据:

权利要求:

百度查询: TCL科技集团股份有限公司 一种PEDOT材料、量子点发光二极管及制备方法

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