申请/专利权人：昆山龙腾光电股份有限公司

申请日：2021-08-31

公开（公告）日：2024-03-12

公开（公告）号：CN113725158B

主分类号：H01L21/77

分类号：H01L21/77;H01L27/12;H01L29/786

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.12#授权;2021.12.17#实质审查的生效;2021.11.30#公开

摘要：本发明提供一种TFT阵列基板及其制作方法，该TFT阵列基板包括：衬底基板；形成在所述衬底基板上的氧化物导电层，所述氧化物导电层包括遮光区和像素电极，所述遮光区由所述氧化物导电层通过不透明化处理形成；形成在所述衬底基板上且覆盖所述遮光区和所述像素电极的缓冲层；形成在所述缓冲层上的有源层，所述有源层对应位于所述遮光区上方；形成在所述缓冲层和所述有源层上的栅极绝缘层；形成在所述栅极绝缘层上的第一金属层，所述第一金属层包括栅极和扫描线，所述栅极对应位于所述有源层上方，所述栅极和所述扫描线相连。

主权项：1.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述TFT阵列基板的制作方法包括以下步骤：提供衬底基板11；在所述衬底基板11上形成第一透明氧化物导电薄膜12，所述第一透明氧化物导电薄膜12用于形成氧化物导电层，所述氧化物导电层包括遮光区121和像素电极122；在所述第一透明氧化物导电薄膜12上涂布第一光阻2，利用半色调掩膜3对所述第一光阻2进行曝光、显影，所述半色调掩膜3包括与所述像素电极122相对应的不透光区31、与所述遮光区121相对应的半透光区32和与所述第一透明氧化物导电薄膜12的其它区域相对应的透光区33；完全保留所述像素电极122上方区域的第一光阻2，部分保留所述遮光区121上方区域的第一光阻2，所述遮光区121上方区域的第一光阻2的厚度小于所述像素电极122上方区域的第一光阻2，完全去除其它区域的第一光阻2；利用留下的第一光阻2对所述第一透明氧化物导电薄膜12进行蚀刻，去除所述遮光区121和所述像素电极122对应区域以外的第一透明氧化物导电薄膜12；对留下的第一光阻2进行灰化处理，即对留下的第一光阻2进行微量蚀刻，使留下的第一光阻2的整体厚度减小，保留所述像素电极122上方区域的第一光阻2，完全去除其它区域的第一光阻2，使对应于所述遮光区121的第一透明氧化物导电薄膜12暴露出来；对所述暴露出来的第一透明氧化物导电薄膜12进行氢化处理，使所述暴露出来的第一透明氧化物导电薄膜12形成所述遮光区121，未暴露出来的所述第一透明氧化物导电薄膜12形成所述像素电极122；去除保留下的所述像素电极122上方区域的第一光阻2；在所述衬底基板11上形成覆盖所述遮光区121和所述像素电极122的缓冲层13；在所述缓冲层13上形成金属氧化物半导体层，对所述金属氧化物半导体层进行蚀刻制作有源层14，所述有源层14对应位于所述遮光区121上方。

全文数据：

权利要求：

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