申请/专利权人：电子科技大学

申请日：2022-09-30

公开（公告）日：2024-03-12

公开（公告）号：CN115522262B

主分类号：C30B29/28

分类号：C30B29/28;C30B19/00;C30B33/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.12#授权;2023.01.13#实质审查的生效;2022.12.27#公开

摘要：一种磁光传感用成像单晶晶片快速生产的方法，属于磁光传感用单晶晶片制备技术领域。包括：1在石榴石单晶衬底上生长石榴石单晶晶片层；2将衬底提出至熔体液面上方，液相外延炉的温度升高至1150～1200℃；3将衬底下降至熔体液面下，单向旋转1min，保持旋转并将衬底提出，1min后停止旋转；4将衬底提离液相外延炉，得到的晶片在浓硝酸中浸泡，去离子水冲洗，烘干。本发明将晶体表面处理过程合并至晶体生长过程中，省去了研磨、抛光等工艺流程，减少生长时间，提高生产效率、降低了生产成本；采用高温熔体浸渍清洗法，能有效控制表面白雾、团簇型裂纹等表面污染层，获得和传统工艺相同晶体表面质量的磁光成像单晶晶片。

主权项：1.一种磁光传感用成像单晶晶片快速生产的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、采用液相外延法在石榴石单晶衬底上生长厚度为1～100μm的石榴石单晶晶片层；所述石榴石单晶衬底为钆镓石榴石或钙镁锆掺杂钆镓石榴石，所述石榴石单晶衬底与石榴石单晶晶片层的晶格常数之差小于0.1％；具体过程为；首先，将原料装入铂金坩埚并置于立式液相外延炉中，升温至1150～1200℃，经保温12h、搅拌12h后，得到生长熔体；然后，将液相外延炉的温度降低至生长温度880～910℃，将石榴石单晶衬底下降至熔体液面下10～15mm处，控制基片转速为100rpmmin，顺逆时针交替6s旋转进行晶体生长，生长时间为5～60min，生长完成后，得到石榴石单晶晶片层；步骤2、将步骤1得到的带石榴石单晶晶片层的衬底以60mmmin的速度提出至熔体液面上方15mm处悬停，然后将液相外延炉的温度重新升高至1150～1200℃；步骤3、将带石榴石单晶晶片层的衬底以60～100mmmin的速度下降至熔体液面下3～5mm处，以200rpmmin的速度单向旋转1min，保持旋转并以30mmmin的速度将衬底提出至液面上方5～10mm处，1min后停止旋转；步骤4、将步骤3处理后的带石榴石单晶晶片层的衬底以10mmmin的速度提离液相外延炉，得到单晶晶片；步骤5、将步骤4得到的单晶晶片在浓硝酸中浸泡，再采用去离子水冲洗，烘干，即可得到所述磁光传感用成像单晶晶片。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学 一种磁光传感用成像单晶晶片快速生产的方法

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