申请/专利权人：昆山龙腾光电股份有限公司

申请日：2021-08-19

公开（公告）日：2024-03-12

公开（公告）号：CN113690181B

主分类号：H01L21/77

分类号：H01L21/77;H01L27/12

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.12#授权;2021.12.10#实质审查的生效;2021.11.23#公开

摘要：本发明提供一种TFT阵列基板及其制作方法，该TFT阵列基板包括：衬底基板；形成在所述衬底基板上的氧化物导电层，所述氧化物导电层包括公共电极；形成在所述氧化物导电层上的第一金属层，所述第一金属层包括公共电极线、扫描线、栅极和透明区域，所述透明区域由所述第一金属层通过透明化处理形成，所述透明区域和所述公共电极线均对应位于所述公共电极上方，且所述公共电极线与所述公共电极电性连接，所述栅极与所述扫描线相连，且所述栅极和所述扫描线均与所述公共电极相互间隔。该TFT阵列基板的公共电极、公共电极线、扫描线和栅极通过同一道光罩制成，节省了光罩及制造成本，降低了工艺复杂度。

主权项：1.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底基板11；在所述衬底基板11上形成第一氧化物导电薄膜12，所述第一氧化物导电薄膜12用于形成氧化物导电层，所述氧化物导电层包括公共电极121；在所述第一氧化物导电薄膜12上形成第一金属薄膜13，所述第一金属薄膜13用于形成第一金属层，所述第一金属层包括公共电极线131、扫描线132、栅极133和透明区域134；在所述第一金属薄膜13上涂布光阻2，利用半色调掩膜3对所述光阻2进行曝光、显影，完全保留所述公共电极线131、所述扫描线132和所述栅极133上方区域的光阻2，部分保留所述透明区域134上方区域的光阻2，完全去除其它区域的光阻2；利用留下的光阻2对所述第一金属薄膜13和所述第一氧化物导电薄膜12进行蚀刻，去除所述公共电极线131、所述扫描线132、所述栅极133和所述透明区域134对应区域以外的第一金属薄膜13和第一氧化物导电薄膜12，所述透明区域134和所述公共电极线131下方区域的第一氧化物导电薄膜12形成所述公共电极121；对留下的光阻2进行灰化处理，保留所述公共电极线131、所述扫描线132和所述栅极133上方区域的光阻2，完全去除其它区域的光阻2，使对应于所述透明区域134的第一金属薄膜13暴露出来；对所述暴露出来的第一金属薄膜13进行氧化处理，使所述暴露出来的第一金属薄膜13氧化形成透明的金属氧化物，即形成所述透明区域134，未暴露出来的所述第一金属薄膜13分别形成所述公共电极线131、所述扫描线132和所述栅极133；其中所述透明区域134和所述公共电极线131均对应位于所述公共电极121上方，且所述公共电极线131与所述公共电极121电性连接，所述栅极133与所述扫描线132相连，且所述栅极133和所述扫描线132均与所述公共电极121相互间隔；去除所述公共电极线131、所述扫描线132和所述栅极133上方区域的光阻2。

全文数据：

权利要求：

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