申请/专利权人：盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司

申请日：2023-12-14

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN117711904A

主分类号：H01J37/32

分类号：H01J37/32;C23C16/50

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.02#实质审查的生效;2024.03.15#公开

摘要：本发明提供一种等离子体侧线圈调整结构及半导体设备，所述等离子体侧线圈调整结构包括底座，当需要对侧线圈高度进行调整来改变反应腔室中心及四周区域的电磁场分布来改善工艺效果时，先上下拉动调整环，使调整环带动夹持块上下移动，同时带动侧线圈进行上下移动，实现对侧线圈高度进行调整的效果。本发明解决了现有技术通过调节工艺参数对溅射均匀性改善不大，且只有侧线圈的功率以及等离子体的分布对其影响较大，以及现有设备无法调节侧线圈位置去改变等离子体分布等问题。

主权项：1.一种等离子体侧线圈调整结构，其包括底座，其特征在于：当需要对侧线圈高度进行调整来改变反应腔室中心及四周区域的电磁场分布来改善工艺效果时，先上下拉动调整环，使调整环带动夹持块上下移动，同时带动侧线圈进行上下移动，实现对侧线圈高度进行调整的效果。

全文数据：

权利要求：

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