申请/专利权人：嘉兴斯达微电子有限公司

申请日：2023-12-26

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN117712157A

主分类号：H01L29/739

分类号：H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.02#实质审查的生效;2024.03.15#公开

摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种具有空穴通道的超结IGBT器件及其制备方法。器件包括，集电结构，集电结构的下表面设有集电极；超结结构，设于集电结构的上表面；N型载流子存储层，设于超结结构的上表面；元胞单元，设于N型载流子存储层上，元胞单元具有用于空穴电流通过的空穴通道。本发明通过设置空穴通道，在器件开通时，部分空穴电流从空穴通道流通，有效抑制了负栅极电容效应，从而降低了浪涌电流并改善了dVdt的控制能力；同时，在器件关断时，超结IGBT器件可以实现在不增加关断损耗的前提下有效降低尖峰电压。

主权项：1.一种具有空穴通道的超结IGBT器件，其特征在于，包括，集电结构3，所述集电结构3的下表面设有集电极1；超结结构4，设于所述集电结构3的上表面，所述超结结构4包括若干个交替排列的N型柱32和P型柱31；N型载流子存储层40，设于所述超结结构4的上表面；元胞单元5，设于所述N型载流子存储层40上，所述元胞单元5的上表面设有发射极2，所述元胞单元5包括，P型基区50，设于所述N型载流子存储层40的上表面；虚拟沟槽栅53，自所述P型基区50的顶部延伸进所述N型载流子存储层40，相邻所述虚拟沟槽栅53中间的所述P型基区50通过接触孔与所述发射极2相连，形成用于空穴电流通过的空穴通道54。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 嘉兴斯达微电子有限公司 一种具有空穴通道的超结IGBT器件及其制备方法

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