申请/专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司

申请日：2021-10-22

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN114488396B

主分类号：G02B6/122

分类号：G02B6/122

优先权：["20201028 US 17/082291"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.15#授权;2022.05.31#实质审查的生效;2022.05.13#公开

摘要：本公开涉及一种不影响互连层的用于光子集成电路的扩大的波导。结构和方法实现扩大的波导。该结构可以包括绝缘体上半导体SOI衬底，该SOI衬底包括位于半导体衬底上方的掩埋绝缘体层上方的绝缘体上半导体SOI层。层间电介质ILD层位于SOI衬底上方。第一波导具有至少部分地延伸到掩埋绝缘体层中的下表面，这允许波导的竖直扩大，而不增加ILD层的厚度或不增加到其他器件的互连的长度。扩大的波导可以包括氮化物，并且可以与其他常规的硅和氮化物波导一起实现。

主权项：1.一种波导结构，包括：绝缘体上半导体SOI衬底，其包括位于半导体衬底上方的掩埋绝缘体层上方的绝缘体上半导体SOI层；层间电介质ILD层，其位于所述SOI衬底上方；以及第一波导，其位于所述SOI衬底的第一区域中的所述ILD层中，所述第一波导包括至少部分地延伸到所述掩埋绝缘体层中的下表面，其中所述第一波导的所述下表面高于所述掩埋绝缘体层的下表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 格芯(美国)集成电路科技有限公司 不影响互连层的用于光子集成电路的扩大的波导

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD