申请/专利权人：南京航空航天大学;南京航空航天大学深圳研究院

申请日：2022-06-09

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN115036413B

主分类号：H10N30/00

分类号：H10N30/00;H10N30/80;G06F17/11

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.15#授权;2022.10.25#实质审查的生效;2022.09.09#公开

摘要：本发明公开一种调控压电半导体同质结势垒构型及伏安特性的复合结构，在部分半导体结构表面覆盖材料性质不同的其他材料，覆盖断面位于同质结p区和n区交界面附近；当同质结处于电学开路状态时，施加外载荷，压电半导体纤维发生变形，且变形所对应的应变在材料性质发生跳变的半覆盖界面处不连续；应变不连续处因压电效应产生压电电荷，压电电荷影响同质结结区静电场的分布，改变结区势垒构型，使压电半导体同质结的势垒构型及伏安特性可被外载荷调控，解决了压电半导体同质结电学特性对外载荷不敏感的难题。

主权项：1.调控压电半导体同质结势垒构型及伏安特性的复合结构，其特征在于：所述压电半导体表面设置有覆盖层，所述覆盖层位于压电半导体的同质结p区和n区交界面；同质结两边的p型和n型压电半导体纤维以及覆盖层，满足压电半导体唯象理论运动方程： 其中，上标1和2分别代表压电半导体和覆盖层中的物理量，为复合结构总体的等效应力分量，ρ为材料的质量密度，A为材料的截面积，ui为机械位移分量，为等效电位移分量，Δp和Δn分别描述变形前后压电半导体内部空穴和电子浓度的变化量，q表示基本电荷带电量，p和n是空穴和电子的浓度，和分别是空穴和电子的电流密度；当同质结处于电学开路状态时，施加外载荷，压电半导体纤维发生变形，且变形所对应的应变在材料性质发生跳变的半覆盖界面处不连续；应变不连续处因压电效应产生压电电荷，压电电荷影响同质结结区静电场的分布，改变结区势垒构型；在外加电压存在时，同质结中有电流流过，由于势垒构型改变，电流大小改变。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京航空航天大学;南京航空航天大学深圳研究院 调控压电半导体同质结势垒构型及伏安特性的复合结构

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