申请/专利权人：格芯美国公司

申请日：2019-10-21

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN111211109B

主分类号：H01L23/528

分类号：H01L23/528;H01L21/768;H10N70/20;H10N70/00;H10N50/10;H10N50/01

优先权：["20181121 US 16/197646"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.15#授权;2020.12.15#专利申请权的转移;2020.06.23#实质审查的生效;2020.05.29#公开

摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地，顶电极互连结构以及制造方法。该结构包括：下金属化特征；上金属化特征；与下金属化特征直接接触的底电极；位于底电极之上的一种或多种开关材料；位于一种或多种开关材料之上的顶电极；以及与顶电极和上金属化特征接触的自对准过孔互连。

主权项：1.一种半导体结构，包括：下金属化特征；上金属化特征；与所述下金属化特征直接接触的底电极；位于所述底电极之上的一种或多种开关材料；位于所述一种或多种开关材料之上的顶电极；与所述顶电极和所述上金属化特征接触的自对准过孔互连；以及侧壁间隔物，其接触并完全围绕所述过孔互连的整个侧壁，仅在由所述顶电极的顶表面和所述上金属化特征的底表面限定的空间内延伸，并且接触所述顶电极的所述顶表面和所述上金属化特征的所述底表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 格芯美国公司 顶电极互连结构

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