申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2022-09-09

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727689A

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768;H10B80/00;H01L23/538

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制造方法和半导体结构，半导体结构的制造方法包括：提供基底，在所述基底上形成至少两个堆叠结构以及位于至少两个所述堆叠结构之间的连接结构；所述堆叠结构包括多层位线，所述连接结构包括多层连接层，且所述连接层与所述位线同层设置且连接；在所述连接结构中形成多个填充孔，不同所述填充孔露出不同层的所述连接层的顶面；在所述填充孔内形成接触层，所述接触层与所述连接层相连。本公开实施例至少可以提高半导体结构的集成度，并降低半导体结构内的寄生电容。

主权项：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底上形成至少两个堆叠结构以及位于至少两个所述堆叠结构之间的连接结构；所述堆叠结构包括多层位线，所述连接结构包括多层连接层，且所述连接层与所述位线同层设置且连接；在所述连接结构中形成多个填充孔，不同所述填充孔露出不同层的所述连接层的顶面；在所述填充孔内形成接触层，所述接触层与所述连接层相连。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构和半导体结构的制造方法

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