申请/专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司

申请日：2023-11-06

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117720924A

主分类号：C09K13/08

分类号：C09K13/08;H01L21/306

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明提供了一种氮化硅和钨的选择性蚀刻液，按质量百分数计，包括72%‑85%的电子级磷酸、1.25%‑1.75%的含硅化合物、0.0263%‑0.0369%的氢氟酸、0.02%‑0.07%的磺酸类物质、0.1%‑1.0%的钨蚀刻抑制剂，其余成分为去离子水。本发明所述的蚀刻液能够在氧化硅蚀刻速率（ER）≤0.96nm30min的前提下，较快的蚀刻氮化硅，最大程度抑制金属钨的蚀刻，保证氮化硅和金属钨具有较高的选择比。

主权项：1.一种氮化硅和钨的选择性蚀刻液，其特征在于，按质量百分数计，包括72%-85%的电子级磷酸、1.25%-1.75%的含硅化合物、0.0263%-0.0369%的氢氟酸、0.02%-0.07%的磺酸类物质、0.1%-1.0%的钨蚀刻抑制剂，其余成分为去离子水。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖北兴福电子材料股份有限公司 一种氮化硅和钨的选择性蚀刻液

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