申请/专利权人：上海精密计量测试研究所

申请日：2023-11-14

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117723921A

主分类号：G01R31/26

分类号：G01R31/26

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明的基于栅源电压表征SiCMOSFET功率器件结温和热阻的方法，其步骤包括：设计SiCMOSFET器件瞬态热阻测试电路，使漏极电流Id和漏源电压Vds维持恒定值。通过恒温油槽使SiCMOSFET器件升温，在热稳态下校准其栅源电压Vgs和结温Tj关系曲线。通过恒定的漏电流Id和漏源电压Vds使SiCMOSFET器件升温，实时监测栅源电压Vgs曲线，结合栅源电压Vgs‑结温Tj关系公式，反推结温Tj曲线。对SiCMOSFET器件结温曲线Tj进行变换，得到瞬态热阻曲线Ztht。对SiCMOSFET器件瞬态热阻曲线Ztht进行变换，得到微分结构函数曲线，提取各封装结构单元热阻参数。针对SiC基和Si基器件的差异，本发明设计了适用电路，构建了栅源电压Vgs和结温Tj的对应关系，解决了无法通过寄生二极管电压降实时监测SiCMOSFET器件结温的不足。

主权项：1.一种表征SiCMOSFET功率器件结温和热阻的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：设计SiCMOSFET器件瞬态热阻测试电路图，使漏极电流Id和漏源电压Vds维持恒定值；S2：通过恒温油槽使SiCMOSFET器件升温，在热稳态下校准其栅源电压Vgs和结温Tj关系曲线；S3：通过恒定的漏电流Id和漏源电压Vds使SiCMOSFET器件升温，实时监测栅源电压Vgs曲线，结合栅源电压Vgs-结温Tj关系公式，反推结温Tj曲线；S4：对SiCMOSFET器件结温曲线Tj进行变换，得到瞬态热阻曲线Ztht；S5：对SiCMOSFET器件瞬态热阻曲线Ztht进行变换，得到微分结构函数曲线，提取各封装结构单元热阻参数。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海精密计量测试研究所 一种表征SiC MOSFET功率器件结温和热阻的方法

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