申请/专利权人：闽都创新实验室;广东聚华新型显示研究院

申请日：2023-10-31

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117729823A

主分类号：H10K71/40

分类号：H10K71/40;H10K71/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本申请公开了一种QLED器件的后处理方法，包括提供QLED器件，所述QLED器件包括衬底和设置在其上的发光部件；对所述QLED器件进行加热处理；对所述QLED器件进行紫外光照加臭氧处理；采用加热处理及UVO处理对QLED器件进行后处理，从而有效降低器件的驱动电压，进而可以有效提高所述器件的稳定性。

主权项：1.一种QLED器件的后处理方法，其特征在于，包括下列步骤：S1：提供QLED器件，所述QLED器件包括衬底和设置在其上的发光部件；S2：对所述QLED器件进行加热处理；S3：对所述QLED器件进行紫外光照加臭氧处理。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 闽都创新实验室;广东聚华新型显示研究院 一种QLED器件的后处理方法

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