申请/专利权人：复旦大学宁波研究院

申请日：2023-12-04

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727784A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/423

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明公开了一种具有自适应浮动电位的SiC沟槽结构；沟槽内分割为上下两个电极：上电极接栅极电位，下电极接生成的内部电位；两个电极中间使用厚氧化层间隔，两个电极共同的外部，即沟槽的侧壁及底部则为薄氧化层；本发明还包含生成内部电位的生成结构，包括漏极电位的读取部分和电位比较部分，漏极电位的读取部分随着漏压的变化生成一个低于漏压但高于源极电位的电压，电位比较部分比较计算漏极电位的读取部分生成的电压与栅极电位，随着生成的电压与栅极电位的动态变化过程，使下电极的电位跟随高电位。本发明的沟槽结构避免了传统SiC沟槽MOSFET结构的槽底保护引入的JFET效应，并引入积累效应，从而降低了器件的导通电阻。

主权项：1.一种具有自适应浮动电位的SiC沟槽结构，其特征在于，沟槽内部分割为上下两个电极：电极G1和电极G2；电极G1为驱动栅极，其接栅极电位，用于开关的控制；电极G2为辅助栅极，其接器件内部的电位生成结构生成的辅助栅电位，用于电位的浮动，以形成槽底保护、JFET效应降低以及积累区效应提升的作用；两个电极中间使用第一氧化层间隔，以防止电极之间发生击穿，两个电极共同的外部，也就是沟槽的侧壁及底部为第二氧化层，分别用于沟道开启和积累效应的形成，第一氧化层的厚度大于第二氧化层的厚度；其中：电位生成结构包括漏极跟随电位读取部分和电位比较部分，漏极跟随电位读取部分，用于随着漏压的变化生成一个低于漏压但高于源极电位的内部浮动电位，电位比较部分，用于随着内部浮动电位与栅极电位的动态变化过程，将内部浮动电位与栅极电位进行比较，使电极G2的电位跟随高电位。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 复旦大学宁波研究院 一种具有自适应浮动电位的SiC沟槽结构

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