申请/专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司

申请日：2023-12-15

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727738A

主分类号：H01L23/544

分类号：H01L23/544;H01L21/66

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明提供一种半导体测试结构及半导体测试方法，半导体测试结构包括测试结构，测试结构包括衬底、位于所述衬底表面一侧的介质层、至少形成于所述衬底中的第一通孔、以及形成于所述介质层中的导电层，所述第一通孔周围的衬底和所述导电层分别作为电容结构的第一电极板和第二电极板；通过监测所述电容结构的电容变化趋势，获得所述第一通孔的深度变化趋势。本发明的技术方案能够对硅通孔刻蚀工艺的刻蚀量进行监控，以避免硅通孔刻蚀工艺出现批量异常。

主权项：1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括测试结构，所述测试结构包括衬底、位于所述衬底表面一侧的介质层、至少形成于所述衬底中的第一通孔、以及形成于所述介质层中的导电层，所述第一通孔周围的衬底和所述导电层分别作为电容结构的第一电极板和第二电极板；通过监测所述电容结构的电容变化趋势，获得所述第一通孔的深度变化趋势。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉新芯集成电路制造有限公司 半导体测试结构及半导体测试方法

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