申请/专利权人：长春理工大学重庆研究院

申请日：2023-12-18

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117723570A

主分类号：G01N23/04

分类号：G01N23/04;G01N23/20;G01N13/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明公开了基于III‑V族合金超晶格原子级元素识别成像的方法，包括：通过分子束外延生长III‑V族合金超晶格材料，利用球差校正透射电子显微镜对超晶格进行表征获取表征数据，并使用Matlab编程提取所述表征数据中原子柱的强度值；原子序数的大小正比于所述表征数据中原子柱的强度值，相邻原子柱强度值进行对比获取比值，并根据所述比值由大到小进行配色，根据原子柱的颜色差异识别外延层不同元素和界面处不同元素分布特征。本发明方式直观、具有普适性，通过提取球差校正透射电子显微镜的原子柱强度，根据原子柱强度进行配色，更直观的观察外延层和界面处元素分布特征。

主权项：1.基于III-V族合金超晶格原子级元素识别成像的方法，其特征在于，包括：通过分子束外延生长III-V族合金超晶格材料，利用球差校正透射电子显微镜对超晶格进行表征获取表征数据，并使用Matlab编程提取所述表征数据中原子柱的强度值；原子序数的大小正比于所述表征数据中原子柱的强度值，相邻原子柱强度值进行对比获取比值，并根据所述比值由大到小进行配色，根据原子柱的颜色差异识别外延层不同元素和界面处不同元素分布特征。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长春理工大学重庆研究院 基于III-V族合金超晶格原子级元素识别成像的方法

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