申请/专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司

申请日：2023-09-15

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727721A

主分类号：H01L23/482

分类号：H01L23/482;H01L23/485;H01L23/488;H01L21/60

优先权：["20220916 US 17/946,109"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.19#公开

摘要：本申请题为“基于晶片的模制倒装芯片式可路由IC封装件”。一种电子器件100包括多层级金属化结构110、半导体管芯102和封装结构106。多层级金属化结构110具有导电金属迹线和通孔及聚酰亚胺绝缘体材料的多个层级，包括沿第一侧面111的第一层级和沿第二侧面113的最后层级。第一层级包括具有沿第一侧面111的暴露表面的导电金属引线112，并且最后层级包括沿第二侧面113的暴露表面的导电金属焊盘。半导体管芯102被倒装芯片式附接到多层级金属化结构110的第一侧面111，使其导电特征部104连接到多层级金属化结构110的最后层级的相应导电金属焊盘，并且封装结构106包围半导体管芯102以及多层级金属化结构110的第一侧面111的一些部分。

主权项：1.一种电子器件，包括：多层级金属化结构，其具有导电金属迹线和通孔及聚酰亚胺绝缘体材料的多个层级，所述多个层级包括沿第一侧面的第一层级和沿第二侧面的最后层级，所述第一层级包括具有沿所述第一侧面的暴露表面的导电金属引线，并且所述最后层级包括具有沿所述第二侧面的暴露表面的导电金属焊盘；半导体管芯，其具有导电特征部，所述半导体管芯被倒装芯片式附接到所述多层级金属化结构的所述第二侧面，使所述导电特征部连接到所述多层级金属化结构的所述最后层级的相应导电金属焊盘；以及封装结构，其包围所述半导体管芯以及所述多层级金属化结构的所述第一侧面的一些部分。

全文数据：

权利要求：

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