申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所

申请日：2023-12-07

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727619A

主分类号：H01L21/28

分类号：H01L21/28;H01L21/335;H01L29/423

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明公开了一种基于悬浮金属栅终端结构HEMT器件的制备方法，包括步骤：S1，在GaAs衬底上生成外延层，作为器件的有源区；S2，设计两种对准图形，并采用电子束蒸发TiAu在外延层上完成图形的转移；S3，制作欧姆电极；S4，进行栅极区域的第一次刻蚀；S5，采用平坦化技术进行栅极区域的第二次刻蚀；S6，定义器件有源区；S7，在涂胶、并经过一系列的电子束光刻后，采用电子束蒸发方法形成器件的悬浮金属栅极，并通过lift‑off工艺完成金属的剥离；S8，重新淀积一层钝化层以保护晶体管，并在需要引线的地方刻蚀掉已淀积的钝化层。本发明能提高器件的栅极特性，提高击穿电压、降低栅漏电流。

主权项：1.一种基于悬浮金属栅终端结构HEMT器件的制备方法，其特征在于，包括步骤如下：S1，通过分子束外延方法在GaAs衬底上生成外延层，作为器件的有源区；S2，设计两种对准图形，并采用电子束蒸发TiAu在外延层上完成图形的转移；S3，在涂胶、光刻后，在指定位置采用电子束蒸发一系列金属层作为器件的源极漏极金属，随后在N2环境中快速热退火处理，形成非整流的欧姆接触；S4，在涂胶、光刻后，将所预先定义的栅极区域处的外延层部分去掉；S5，将需要形成栅极的区域采用正胶保护，通过湿法腐蚀形成一定深度的接近垂直的台面；随后在表面旋涂一层PMMA，固化后，接着在需要平坦化的区域旋涂第二层光刻胶并光刻出相应的区域；S6，在涂胶、光刻后，在需要有源区存在的区域用光刻胶覆盖遮挡，其他未覆盖的区域形成隔离有源区的高阻材料；S7，在涂胶、并经过一系列的电子束光刻后，采用电子束蒸发方法形成器件的悬浮金属栅极，并通过lift-off工艺完成金属的剥离；S8，重新淀积一层钝化层以保护晶体管，并在需要引线的地方刻蚀掉已淀积的钝化层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种基于悬浮金属栅终端结构HEMT器件的制备方法

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