申请/专利权人：黄剑鸣

申请日：2023-12-20

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727834A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L21/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明公开一种晶硅薄膜板生产方法，其包括如下步骤：提供玻璃基板；于玻璃基板上沉积一层非晶硅薄膜层，形成非晶硅薄膜板；提供第一点状热源和第二点状热源；利用第一点状热源对非晶硅薄膜板的表面加热至晶化温度，使非晶硅晶化转化成液态的晶体硅；第二点状热源对刚被晶化成液态的晶体硅补充能量，使得刚被晶化的晶体硅逐渐冷却形成固态的晶体硅；第一点状热源和第二点状热源按照上述方式，呈扫描式的完成整个非晶硅膜层的晶化处理和逐渐冷却固化；实现晶硅薄膜板的生产。本发明对成低、工艺简单的非晶硅薄膜层进行扫描式加热晶化处理，以使得最终大比例的形成具有晶硅薄膜层的晶硅薄膜板，成本低和工艺简单。

主权项：1.一种晶硅薄膜板生产方法，其特征在于，包括如下步骤：1提供玻璃基板；2于玻璃基板上沉积一层非晶硅薄膜层，形成非晶硅薄膜板；所述非晶硅薄膜层的长度为L，宽度为D；3提供第一点状热源和第二点状热源，所述第一点状热源和第二点状热源作用于非晶硅薄膜板的尺寸均为A×B，A为沿X轴方向的长度，B为沿Y轴方向的宽度；所述非晶硅薄膜沿Y轴方向被分为M列，M＝DB，每列被分为N个晶化单元，N＝LA，M、N为四舍五入后的整数值；3利用第一点状热源对非晶硅薄膜板的表面加热t时间至晶化温度，使非晶硅晶化转化成液态的晶体硅；4t时间后，第一点状热源沿X轴方向前进A距离对非晶硅薄膜板的表面加热t时间至晶化温度；5第二点状热源对刚被晶化成液态的晶体硅补充能量t时间，使得刚被晶化的晶体硅逐渐冷却形成固态的晶体硅，防止刚被晶化的晶体硅骤冷而又回复到非晶硅的状态；6重复上述步骤3－5N次，完成沿X轴方向的一列非晶硅转化为晶体硅的处理；7沿Y轴方向同时移动第一点状热源和第二点状热源B距离；8重复上述步骤6－7M次，完成第一点状热源和第二点状热源呈扫描式加热晶化处理完整个非晶硅薄膜层，完成非晶硅薄膜层转化成晶硅薄膜层，实现晶硅薄膜板的生产。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 黄剑鸣 晶硅薄膜板生产方法

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