申请/专利权人：北京科华微电子材料有限公司;上海彤程电子材料有限公司

申请日：2023-12-22

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117724293A

主分类号：G03F7/038

分类号：G03F7/038;G03F1/76

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明涉及光刻胶技术领域，尤其是涉及一种KrF负性光刻胶及其制备方法和图案化方法。KrF负性光刻胶，包括按质量百分数计的如下组分：对羟基苯乙烯‑苯乙烯共聚物树脂10％～30％、产酸剂0.1％～5％、交联剂0.8％～5％和溶剂70％～90％；所述交联剂包括醚化的多苯基交联剂和或醚化的三聚氰胺类交联剂；所述产酸剂包括二芳基碘鎓盐和或三芳基硫鎓盐。本发明通过使用对羟基苯乙烯‑苯乙烯共聚物树脂、产酸剂、交联剂和溶剂组分的组合，并采用合适的比例，能够得到具有超高分辨率、倒梯形形貌的KrF负性光刻胶，可将应用于LiftOff工艺制程的KrF负性光刻胶的分辨率提高至140nm。

主权项：1.KrF负性光刻胶，其特征在于，包括：包括按质量百分数计的如下组分：对羟基苯乙烯-苯乙烯共聚物树脂10％～30％、产酸剂0.1％～5％、交联剂0.8％～5％和溶剂70％～90％；所述交联剂包括醚化的多苯基交联剂和或醚化的三聚氰胺类交联剂；所述产酸剂包括二芳基碘鎓盐和或三芳基硫鎓盐；所述二芳基碘鎓盐具有如下结构通式： R1和R2各自独立地选自H、C1～C4烷基和C1～C4烷氧基中的至少一种，R3选自三氟甲基、对甲苯基和对三氟甲基苯基中的至少一种；所述三芳基硫鎓盐具有如下结构通式： R4、R6和R6各自独立地选自H、C1～C4烷基和C1～C4烷氧基中的至少一种，R7选自三氟甲基、对甲苯基和对三氟甲基苯基中的至少一种。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京科华微电子材料有限公司;上海彤程电子材料有限公司 KrF负性光刻胶及其制备方法和图案化方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD