申请/专利权人：芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司

申请日：2023-12-27

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727800A

主分类号：H01L29/861

分类号：H01L29/861;H01L21/329;H01L25/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本申请实施例涉及一种快恢复二极管及其制备方法和IGBT模块，包括：N型阴极区；P型阳极区；N型漂移区，位于N型阴极区和P型阳极区之间，N型漂移区的掺杂浓度小于N型阴极区的掺杂浓度；P型阳极欧姆接触区，位于P型阳极区的远离N型阴极区的一侧，P型阳极欧姆接触区的掺杂浓度大于P型阳极区的掺杂浓度；凹槽，从P型阳极欧姆接触区的远离N型阴极区的一侧向内延伸至P型阳极区内部；阳极金属电极结构，覆盖P型阳极欧姆接触区并通过凹槽的侧壁与P型阳极区接触。由此，在实现更好欧姆接触的同时，兼顾了反向恢复速率。

主权项：1.一种快恢复二极管，其特征在于，包括：N型阴极区；P型阳极区；N型漂移区，位于所述N型阴极区和所述P型阳极区之间，所述N型漂移区的掺杂浓度小于所述N型阴极区的掺杂浓度；P型阳极欧姆接触区，位于所述P型阳极区的远离所述N型阴极区的一侧，所述P型阳极欧姆接触区的掺杂浓度大于所述P型阳极区的掺杂浓度；凹槽，从所述P型阳极欧姆接触区的远离所述N型阴极区的一侧向内延伸至所述P型阳极区内部；阳极金属电极结构，覆盖所述P型阳极欧姆接触区并通过所述凹槽的侧壁与所述P型阳极区接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司 快恢复二极管及其制备方法和IGBT模块

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