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【发明公布】在失真的样本图像中检测半导体样本中缺陷的方法_卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司_202280053096.0 

申请/专利权人:卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司

申请日:2022-07-25

公开(公告)日:2024-03-19

公开(公告)号:CN117730342A

主分类号:G06T7/00

分类号:G06T7/00;G06T7/11;G06T5/80;G06T7/30

优先权:["20210730 DE 102021119008.8"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要:本发明公开了一种检测样本中,特别是半导体样本中的缺陷的方法,该方法包括下列步骤:提供样本的一参考图像;提供通过一粒子束检查系统生成的一样本图像,其中该样本图像包含相对于该参考图像的旋转;将该样本图像分割成样本图像区域;将该参考图像分割成参考图像区域,其中每一样本图像区域被指定一个参考图像区域以形成一图像区域对;在每一图像区域对中识别存在于图像区域对的样本图像区域及相关联参考图像区域两者中的一结构;基于所识别结构在个别相关联参考图像区域中的位置,通过校正每一样本图像区域中所识别结构的横向偏移而配准该等样本图像区域,从而形成所校正样本图像区域;以及逐像素比较每一所校正样本图像区域与个别相关联参考图像区域以检测缺陷。

主权项:1.一种用于检测样本、特别是半导体样本中的缺陷的方法,包括下列步骤:a提供该样本的参考图像;b提供通过粒子束检查系统生成的样本图像,其中该样本图像包含相对于该参考图像的旋转;c将该样本图像分割成样本图像区域;d将该参考图像分割成参考图像区域,其中每一样本图像区域被指定一个参考图像区域以形成图像区域对;e在每一图像区域对中识别存在于该图像区域对的该样本图像区域以及所指定的参考图像区域两者中的结构;f基于所识别结构在相应所指定的参考图像区域中的位置,并通过校正每一样本图像区域中所识别结构的横向偏移,配准所述样本图像区域,从而形成多个校正的样本图像区域;以及g逐像素比较每一校正的样本图像区域与相应相关联的参考图像区域以检测缺陷。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司 在失真的样本图像中检测半导体样本中缺陷的方法

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