申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2022-07-08

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117730633A

主分类号：H10B41/27

分类号：H10B41/27

优先权：["20210805 US 17/395,211"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.19#公开

摘要：一种用于形成存储器阵列的方法包括形成包括竖直交替的绝缘层级及导电层级的堆叠。存储器单元串的沟道材料串延伸穿过所述绝缘层级及所述导电层级。导电通孔形成在个别所述沟道材料串上方且个别电耦合到个别所述沟道材料串。绝缘材料横向地在紧邻的所述导电通孔之间。至少一些所述绝缘材料被竖直移除，以形成周向围绕多个所述导电通孔的向上打开的空隙空间。绝缘材料横向形成在所述紧邻的导电通孔之间，以从所述向上打开的空隙空间形成覆盖的空隙空间。数字线形成在其下方的多个个别所述导电通孔上方且个别电耦合到多个个别所述导电通孔。公开包含独立于方法的结构的其它实施例。

主权项：1.一种用于形成存储器阵列的方法，其包括：形成堆叠，所述堆叠包括竖直交替的绝缘层级及导电层级，存储器单元串的沟道材料串延伸穿过所述绝缘层级及所述导电层级；在个别所述沟道材料串上方形成导电通孔且所述导电通孔个别电耦合到个别所述沟道材料串，绝缘材料横向地在紧邻的所述导电通孔之间；竖直地移除至少一些所述绝缘材料，以形成周向围绕多个所述导电通孔的向上打开的空隙空间；横向地在所述紧邻的导电通孔之间形成绝缘材料，以从所述向上打开的空隙空间形成覆盖的空隙空间；及在其下方的多个个别所述导电通孔上方形成数字线且所述数字线个别电耦合到多个个别所述导电通孔。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 存储器阵列及用于形成存储器阵列的方法

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