申请/专利权人：深圳市沃德芯科技有限公司

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117476512B

主分类号：H01L21/67

分类号：H01L21/67;B01D29/01;B01D29/96;B01D29/94

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2024.02.20#实质审查的生效;2024.01.30#公开

摘要：本发明公开了一种应用于半导体芯片生产的浸蚀装置，包括浸蚀箱主体，浸蚀箱主体通过内部设置的隔板分隔成浸蚀腔室和过滤腔室，且于隔板一侧的贯穿开设有液位差流通槽，液位差流通槽用于将浸蚀腔室和过滤腔室连通，且过滤腔室内设置有滤网框，滤网框的顶部设置有对其进行牵引的手摇牵引组件，手摇牵引组件固定设置在过滤腔室的外壁上；本发明通过喷头喷出的浸蚀液会搅动浸蚀腔室内的浸蚀液，这时网格板底部的浸蚀液压强会大于顶部的压强，在压力作用下网格板上的半导体芯片会与网格板分离进行浮动，这样能够避免半导体芯片堆叠导致不能完全浸蚀的情况。

主权项：1.一种应用于半导体芯片生产的浸蚀装置，其特征在于，包括浸蚀箱主体（10），所述浸蚀箱主体（10）通过内部设置的隔板（11）分隔成浸蚀腔室（12）和过滤腔室（13），且于所述隔板（11）一侧的贯穿开设有液位差流通槽（14），所述液位差流通槽（14）用于将浸蚀腔室（12）和过滤腔室（13）连通，且所述过滤腔室（13）内设置有滤网框（15），所述滤网框（15）的顶部设置有对其进行牵引的手摇牵引组件（20），所述手摇牵引组件（20）固定设置在过滤腔室（13）的外壁上；于所述过滤腔室（13）外壁的底部设置有用于对浸蚀液进行循环流通的循环泵组件（30），所述循环泵组件（30）的一端穿过浸蚀腔室（12）位于浸蚀腔室（12）的底部；于所述浸蚀腔室（12）内位于循环泵组件（30）的顶部设置有网格板（16），所述网格板（16）的底部固定设置有对其进行垫置且呈倒T型垫置板（17），所述网格板（16）的顶部设置有对浸蚀腔室（12）进行闭合且可震动的弹性盖板组件（40）；于所述弹性盖板组件（40）的顶部设置有驱动组件（50），所述驱动组件（50）能够用于对弹性盖板组件（40）的位置高度进行移动，且所述驱动组件（50）也能够用于带动弹性盖板组件（40）震动。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市沃德芯科技有限公司 一种应用于半导体芯片生产的浸蚀装置

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