申请/专利权人：深圳泓越信息科技有限公司

申请日：2020-08-26

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN112054120B

主分类号：H10B63/00

分类号：H10B63/00;B82Y30/00;B82Y40/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2024.02.20#专利申请权的转移;2020.12.25#实质审查的生效;2020.12.08#公开

摘要：本发明公开了一种导电细丝可调控的电阻存储器薄膜制备方法，在氧化锆薄膜内部插入一层或多层氧化铟掺锡纳米格点阵列，并在氧化锆薄膜的两端分别加工底电极和顶电极。通过该制备方法得到的导电细丝可调控的电阻存储器薄膜，可以达到对导电细丝的生成、迁移以及复合的调控，从而进一步提高电阻存储器的阻变性能。

主权项：1.一种导电细丝可调控的电阻存储器薄膜制备方法，其特征在于，在氧化锆薄膜内部插入一层或多层氧化铟掺锡纳米格点阵列，并在氧化锆薄膜的两端分别加工底电极和顶电极；氧化锆薄膜的制备方法如下：以四丁醇锆为起始原料、苯甲酰丙酮为化学修饰剂、无水乙醇为溶剂配制氧化锆溶胶，四丁醇锆：苯甲酰丙酮的摩尔比为1：0.1-0.2，四丁醇锆：无水乙醇的体积比为1:20-25，采用浸渍-提拉法使用氧化锆溶胶在镀有底电极的单晶硅基板上制备氧化锆凝胶薄膜；氧化铟掺锡纳米格点阵列制备方法如下：采用浸渍-提拉法使用氧化铟掺锡溶胶制备氧化铟掺锡凝胶薄膜，采用双光束激光干涉法制备氧化铟掺锡纳米阵列凝胶薄膜；在氧化锆薄膜内部插入一层氧化铟掺锡纳米格点阵列具体如下：采用浸渍-提拉法使用氧化铟掺锡溶胶制备氧化铟掺锡凝胶薄膜，于200℃-250℃下在烘干箱内烘干15min-20min，采用双光束激光干涉法制备氧化铟掺锡纳米阵列凝胶薄膜，经过在氧气气氛下于450℃-500℃热处理后，冷却至室温，再采用浸渍-提拉法使用氧化锆溶胶在氧化铟掺锡纳米阵列凝胶薄膜上继续制备氧化锆凝胶薄膜；氧化锆薄膜内部插入多层氧化铟掺锡纳米格点阵列具体如下：依次重复在氧化锆薄膜内部插入一层氧化铟掺锡纳米格点阵列的方法。

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权利要求：

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