申请/专利权人：北京华碳元芯电子科技有限责任公司

申请日：2020-07-31

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN114068703B

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/423;H01L29/10;H01L21/336

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2022.03.08#实质审查的生效;2022.02.18#公开

摘要：本发明公开了晶体管及制备方法。该晶体管包括衬底；低维材料层，所述低维材料层位于所述衬底上；源极、漏极以及栅极，所述源极和所述漏极分别位于所述栅极的两侧，所述栅极以及所述低维材料层之间间隔有栅介质层，所述源极和所述栅极之间，所述漏极和所述栅极之间均具有侧墙。所述衬底具有固定电荷，或所述衬底可与绝缘介质形成界面偶极子，所述绝缘介质包括所述栅介质层以及所述侧墙的至少之一。该晶体管对低维材料层进行静电掺杂的方式多样，成本低廉，可较好地与晶体管制备工艺兼容。

主权项：1.一种晶体管，其特征在于，包括：衬底；低维材料层，所述低维材料层位于所述衬底上；源极、漏极以及栅极，所述源极和所述漏极分别位于所述栅极的两侧，所述栅极以及所述低维材料层之间间隔有栅介质层，所述源极和所述栅极之间，所述漏极和所述栅极之间均具有侧墙，所述衬底与绝缘介质形成界面偶极子，所述绝缘介质包括所述栅介质层以及所述侧墙的至少之一。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京华碳元芯电子科技有限责任公司 晶体管及制备方法

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