申请/专利权人：南京大学;浙江驰拓科技有限公司

申请日：2021-03-03

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN113054096B

主分类号：H10N50/01

分类号：H10N50/01;H10N50/10;H10N50/20;H10N50/85;G01R33/12;G01R33/032

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2021.07.16#实质审查的生效;2021.06.29#公开

摘要：一种调控NiFe薄膜磁性本征阻尼因子的方法，使用电子束蒸发生长方法在Si基片上沉积出20±10nm厚的带状长条NiFe薄膜；带状长条的长度为宽度的20‑200倍。对于生长后的样品，在NiFe薄膜带状长条两端引出电极A和B，通过电极A和B向NiFe带状长条中注入电流，所述的外加注入电流密度为1‑6×105Acm2。本发明基于NiFe带状长条结构。可实现通过A和B电极间的电流密度，控制改变NiFe薄膜的本征阻尼因子。

主权项：1.一种调控NiFe薄膜磁性本征阻尼因子的方法，其特征是，使用电子束蒸发生长方法在Si基片上沉积出20纳米厚的带状长条NiFe薄膜；带状长条的长度为宽度的20-200倍，宽度为500μm；对于生长后的样品，在NiFe薄膜带状长条两端引出电极A和B，通过电极A和B向NiFe带状长条中注入电流，所述的注入电流密度为1×105-6×105Acm2；NiFe带状薄膜中的注入电流密度从0增加到3×105Acm2，本征阻尼因子从0.11增加到0.22。

全文数据：

权利要求：

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