申请/专利权人：西安电子科技大学

申请日：2021-08-30

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN113964034B

主分类号：H01L21/335

分类号：H01L21/335;H01L21/02;H01L29/778

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2022.02.15#实质审查的生效;2022.01.21#公开

摘要：本发明涉及一种基于衬底背面GeSnSi外延层的硅基AlGaNGaNHEMT及制备方法，该制备方法包括步骤：S1、在Si衬底的背面生长至少一层GeSnSi外延层；S2、在所述Si衬底的正面依次生长AlN成核层、AlGaN阶变层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，形成硅基AlGaNGaNHEMT器件；S3、对所述硅基AlGaNGaNHEMT器件进行降温处理。该制备方法在Si衬底的背面设置至少一层GeSnSi外延层，GeSnSi的热膨胀系数比Si大，当生长完AlGaNGaNHEMT器件进行降温的过程中，由于GeSnSi的热膨胀系数更大，会在衬底中引入一定的压缩应力，对于硅基AlGaNGaNHEMT器件中的拉伸应力起到一定的抵消作用，从而达到降低翘曲的目的，提高材料的成品率。

主权项：1.一种基于衬底背面GeSnSi外延层的硅基AlGaNGaNHEMT的制备方法，其特征在于，包括步骤：S1、在Si衬底1的背面生长至少一层GeSnSi外延层；步骤S1包括：步骤S11和步骤S12，S11、在所述Si衬底1的背面生长第一GeSnSi外延层71；S12、在所述第一GeSnSi外延层71的背面生长第二GeSnSi外延层72；所述第一GeSnSi外延层71中Ge组分质量分数小于所述第二GeSnSi外延层72中Ge组分质量分数，且所述第一GeSnSi外延层71中Sn组分质量分数小于所述第二GeSnSi外延层72中Sn组分质量分数；S2、在所述Si衬底1的正面依次生长AlN成核层3、AlGaN阶变层4、GaN缓冲层5和AlGaN势垒层6，形成硅基AlGaNGaNHEMT器件；S3、对所述硅基AlGaNGaNHEMT器件进行降温处理。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安电子科技大学 一种基于衬底背面GeSnSi外延层的硅基AlGaN/GaN HEMT及制备方法

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