申请/专利权人：厦门乾照光电股份有限公司

申请日：2023-08-14

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN220627833U

主分类号：H01L33/38

分类号：H01L33/38;H01L33/40

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权

摘要：本实用新型提供了一种LED芯片，通过设置所述第一电极和或第二电极包括Au、Al、Ag、Ni、Be、Cr、Ti、Zn、Pt、W、Ta中的至少两种的堆叠结构。进一步地，所述第一电极和或第二电极包括含Au层和Al层的至少两种的堆叠结构，且所述第一电极和或第二电极的表面为Au层，通过Al层中和Au层的价格，同时表面为化学性质稳定的Au层，进而节省成本的同时提高电极的稳定性。其次，所述堆叠结构内具有若干个通孔，且各所述Au层通过嵌入所述通孔的方式形成互连；基于此，在节省成本的同时，充分利用Au良好的导电性的特点，使电极保持低内阻，进而可很好地保证电极的电流传导性能。

主权项：1.一种LED芯片，其特征在于，包括：衬底及设置于所述衬底表面的外延叠层；所述外延叠层包括沿第一方向依次堆叠的第一型半导体层、有源区以及第二型半导体层；其中，所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述外延叠层；第一电极，其通过与所述第一型半导体层连接的方式，用于作为第一接触电极；第二电极，其通过与所述第二型半导体层连接的方式，用于作为第二接触电极；其中，所述第一电极和或第二电极包括Au、Al、Ag、Ni、Be、Cr、Ti、Zn、Pt、W、Ta中的至少两种的堆叠结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 厦门乾照光电股份有限公司 一种LED芯片

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD