申请/专利权人：福州大学

申请日：2020-08-18

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN111952469B

主分类号：H10K50/155

分类号：H10K50/155;H10K50/115;H10K71/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2020.12.04#实质审查的生效;2020.11.17#公开

摘要：本发明涉及一种基于Au等离子机元增强的叠层量子点发光二极管制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：制备金纳米颗粒；步骤S2：利用金纳米颗粒对空穴传输层材料进行掺杂；步骤S3：采用旋涂成膜工艺和蒸发镀膜技术制备叠层结构Au等离子机元增强的量子点发光二极管。本发明通过在空穴传输层中掺杂金纳米颗粒，使得空穴传输层的迁移率提升，同时利用等离子机元增强原理提高器件的发光强度，使得电子和空穴在量子点层实现了有效的复合，抑制了俄歇复合的发生，同时降低了开启电压，提高了在同等电压下的发光强度、EQE，使叠层量子点发光二极管的性能大大提高。

主权项：1.一种基于Au等离子机元增强的叠层量子点发光二极管制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：制备金纳米颗粒；步骤S2：利用金纳米颗粒对空穴传输层材料进行掺杂；步骤S3：采用旋涂成膜工艺和蒸发镀膜技术制备叠层结构Au等离子机元增强的量子点发光二极管；所述步骤S2具体为：将金纳米颗粒掺杂至空穴传输层材料TFB氯苯溶液中，所述TFB氯苯溶液浓度为5-10mgml,Au纳米颗粒浓度为1-5mgml；所述步骤S3具体为：步骤S31：把ITO基板置于匀胶机上，调整匀胶机转速，在旋转过程中滴加PEDOT：PSS溶液，退火制得空穴注入层；步骤S32：把ITO基板置于匀胶机上，调整匀胶机转速，在旋转过程中滴加TFBAu纳米颗粒溶液，退火制得空穴传输层；步骤S33：把ITO基板置于匀胶机上，调整匀胶机转速，在旋转过程中滴加量子点溶液，制得量子点层；步骤S34：把ITO基板置于匀胶机上，调整匀胶机转速，在旋转过程中滴加ZnO溶液，退火制得电子传输层；步骤S35：把ITO基板放入真空镀膜机中，设置蒸镀电极厚度进行电极蒸镀，蒸镀完成后，把掩膜版从蒸镀机中拿出，把ITO从掩膜版上揭下来；步骤S36：制备第二空穴注入层：把ITO基板放入真空镀膜机中，设置蒸镀有机层的厚度进行蒸镀；蒸镀完成后，把掩膜版从蒸镀机中拿出，把ITO从掩膜版上揭下来；步骤S37：重复步骤S31、S32、S33、S34、S35，得到最终的叠层器件。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 福州大学 基于Au等离子机元增强的叠层量子点发光二极管制备方法

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