申请/专利权人：瑞砻科技股份有限公司

申请日：2022-09-14

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747653A

主分类号：H01L29/778

分类号：H01L29/778

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：一种氮化镓功率元件，包含介质基板、介质基板上依序设置有过渡层、缓冲层、通道层、障壁层，以与栅极堆叠。介质基板包含硅基板以及形成于硅基板上的3C‑SiC层。缓冲层包含经掺杂的氮化镓材料，通道层包含氮化镓材料。二维电气子2DEG通道形成在通道层与障壁层之间。栅极堆叠包含设置在障壁层上的p型氮化镓层、设置在p型氮化镓层的盖帽层，以及设置在盖帽层上的栅极电极。盖帽层包含AlxGa1‑xN，其中x介于0.18至0.24之间。氮化镓功率元件能够解决氮化镓材料与介质基板的晶格不匹配的问题并兼具取得成本较为低廉以及具有较低的阻值的优势。盖帽层的材料具有宽能隙，借此可以有效抑制电洞注入，有助于增强通道层的电子注入，达到提升栅极可靠度的目的。

主权项：1.一种氮化镓功率元件，其特征在于，包含：介质基板，包含：硅基板；以及3C-SiC层，形成于该硅基板上；过渡层，设置于该介质基板上；缓冲层，设置于该过渡层上，该缓冲层包含经掺杂的氮化镓材料；通道层，设置于该缓冲层，该通道层包含氮化镓材料；障壁层，设置于该通道层上，以在该通道层与该障壁层之间形成二维电气子2DEG通道；以及栅极堆叠，设置在该障壁层上，该栅极堆叠包含：p型氮化镓层，设置在该障壁层上；盖帽层，设置在该p型氮化镓层，其中该盖帽层包含AlxGa1-xN，其中x介于0.18至0.24之间；以及栅极电极，设置在该盖帽层上。

全文数据：

权利要求：

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