申请/专利权人：TCL科技集团股份有限公司

申请日：2022-09-14

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117750860A

主分类号：H10K71/40

分类号：H10K71/40;H10K50/14;H10K50/17;H10K50/115

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.22#公开

摘要：本申请公开一种薄膜的制备方法、发光器件、发光器件的制备方法与电子设备，所述制备方法包括步骤：提供膜层，膜层包含第二金属和第一金属氧化物；以及对膜层进行光照处理，获得薄膜，其中，第二金属选自金、银或铂族金属中的至少一种，第一金属氧化物的金属元素包含第一金属，第一金属与第二金属不相同，光照处理的光源为近红外光，采用近红外波段的光照射处理包含第二金属和第一金属氧化物的膜层，以使第二金属能够吸收近红外光而产生光热效应，形成共振以将光能转化为热能，从而促使膜层受热以释放残留应力，从而达到减小或消除膜层内残留应力的目的。

主权项：1.一种薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：提供膜层，所述膜层包含第二金属和第一金属氧化物；对所述膜层进行光照处理，获得薄膜；其中，所述第二金属选自金、银或铂族金属中的至少一种，所述第一金属氧化物的金属元素包含第一金属，所述第一金属与所述第二金属不相同；所述光照处理的光源为近红外光。

全文数据：

权利要求：

百度查询： TCL科技集团股份有限公司 薄膜的制备方法、发光器件、发光器件的制备方法与电子设备

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