申请/专利权人：湖北三安光电有限公司

申请日：2022-09-15

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747728A

主分类号：H01L33/38

分类号：H01L33/38;H01L33/00;H01L33/44;H01L33/62

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括外延结构和第一绝缘保护层，外延结构包括自下向上依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，外延结构具有台面，台面是指第一半导体层的未被发光层所覆盖到的上表面，第一绝缘保护层覆盖发光层的外侧壁和至少部分第二半导体层的外侧壁，且位于台面之上。借此，可以借助第一绝缘保护层保护外延结构，避免ICP蚀刻损伤到外延结构，有效避免外延结构的光效下降，进而保证发光二极管的出光性能。

主权项：1.一种发光二极管，其特征在于：所述发光二极管包括：外延结构，包括自下向上依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述外延结构具有台面，所述台面是指所述第一半导体层的未被所述发光层覆盖的上表面；第一绝缘保护层，覆盖所述发光层的外侧壁和至少部分所述第二半导体层的外侧壁，且位于所述台面之上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖北三安光电有限公司 发光装置、发光二极管及其制备方法

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