申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2023-02-07

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117750780A

主分类号：H10B63/00

分类号：H10B63/00

优先权：["20220304 US 63/316,545","20220629 US 17/852,588"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：电阻式存储器器件包括设置在底部电极和到达存储器器件的底部电接触件之间的超薄阻挡层。超薄阻挡层可以将电阻式存储器元件的总台阶高度降低15％或更多，包括高达约20％或更多。超薄阻挡层的使用可另外将部分位于存储器元件下方并在存储器元件之间延伸的介电蚀刻停止层的厚度均匀性提高至少约15％。超薄阻挡层的使用可导致改进的可制造性并为电阻式存储器器件提供降低的成本和更高的产量，并且可促进电阻式存储器器件在先进技术节点中的集成。本申请的实施例还提供了制造电阻式存储器器件的方法。

主权项：1.一种电阻式存储器器件，包括：金属部件；阻挡层，位于所述金属部件上方具有6nm或更小的厚度；底部电极，位于所述阻挡层上方；切换层，位于所述底部电极上方；顶部电极，位于所述切换层上方；以及导电通孔，接触所述顶部电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 电阻式存储器器件及其制造方法

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