申请/专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司

申请日：2023-12-21

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747542A

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768;H01L21/311;H01L23/538

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本申请公开了一种干法刻蚀聚酰亚胺层的方法、再布线层的制备方法及再布线层，涉及半导体技术领域。一种干法刻蚀聚酰亚胺层的方法，包括：涂覆光敏材料，并形成第一预定图层；进行第一刻蚀，使所述第一预定图层转移至所述聚酰亚胺层，去除所述光敏材料；涂覆光刻胶，并形成第二预定图层；进行第二刻蚀，使所述第二预定图层转移至所述聚酰亚胺层；去除所述光刻胶。本申请至少能够解决制备RDL布线过程中会产生较难清理干净的副产物的问题。

主权项：1.一种干法刻蚀聚酰亚胺层的方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上的聚酰亚胺层上涂覆含有硅氧成分的光敏材料，并对所述光敏材料进行曝光、显影，在所述光敏材料上形成第一预定图层；采用等离子体干法刻蚀技术，利用刻蚀气体对所述聚酰亚胺层进行第一刻蚀，使所述第一预定图层转移至所述聚酰亚胺层，其中，所述刻蚀气体包括氧气和氟基气体；去除所述光敏材料；在所述聚酰亚胺上涂覆光刻胶，并对所述光刻胶进行曝光、显影，在所述光刻胶上形成第二预定图层，其中，所述第二预定图层的位置与所述第一预定图层的位置相对应；采用等离子体干法刻蚀技术，利用所述刻蚀气体对所述聚酰亚胺层进行第二刻蚀，使所述第二预定图层转移至所述聚酰亚胺层，且所述第二刻蚀的刻蚀深度小于所述第一刻蚀的刻蚀深度；去除所述光刻胶。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京北方华创微电子装备有限公司 干法刻蚀聚酰亚胺层的方法、再布线层及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD