申请/专利权人：广州新锐光掩模科技有限公司

申请日：2023-12-25

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117742067A

主分类号：G03F1/26

分类号：G03F1/26

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本申请提供一种相移光掩模版的制备方法、装置及光刻方法，其中相移光掩模版的制备方法包括：对第一刻蚀层刻蚀后的结构进行关键尺寸量测；根据所述关键尺寸量测分析，获得量测结果；根据所述量测结果，调整工艺参数，对第二刻蚀层进行刻蚀及进行关键尺寸量测，并获得目标相移光掩模版。通过优化工艺，在第一刻蚀层刻蚀后增加CD量测，不仅可以及时发现CDerror，还通过动态调整刻蚀配方来适配调整相移光掩模版图形关键尺寸，这样有效防止前段制程CDerror向后传递，最终来提升相移光掩模版尺寸精度。无需如现有技术若相移光掩模版图形关键尺寸的VTT表现差时，重新更新所有制作工艺条件来不断重复尝试进行制备及应用等。

主权项：1.一种相移光掩模版的制备方法，其特征在于，所述相移光掩模版的制备方法包括：对第一刻蚀层刻蚀后的结构进行关键尺寸量测；根据所述关键尺寸量测分析，获得量测结果；根据所述量测结果，调整工艺参数，对第二刻蚀层进行刻蚀及进行关键尺寸量测，并获得目标相移光掩模版。

全文数据：

权利要求：

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