申请/专利权人：通威微电子有限公司

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117737835A

主分类号：C30B23/00

分类号：C30B23/00;C30B29/36

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明提供了一种双坩埚碳化硅晶体生长装置及方法，属于碳化硅生产领域，该装置包括保温筒、第一坩埚、第二坩埚、加热结构以及升降杆，保温筒包括筒体和隔板，隔板可开闭地设置于筒体，第一坩埚设置于筒体内且位于隔板的上方，第一坩埚内设置有第一石墨筒，第一石墨筒贯穿第一坩埚的底壁，第二坩埚设置于筒体内且位于隔板的下方，第二坩埚内设置有第二石墨筒，第二石墨筒位于第一坩埚的底壁，加热结构位于筒体内，用于加热第一坩埚和第二坩埚，升降杆的底部设置有用于生长碳化硅晶体的籽晶，当隔板打开时，籽晶能在升降杆的驱动下可选择地移动至第一坩埚或者第二坩埚内。本生长装置及方法可以制备大尺寸的碳化硅晶体。

主权项：1.一种双坩埚碳化硅晶体生长装置，其特征在于，包括：保温筒100，所述保温筒100包括筒体110和隔板120，所述隔板120可开闭地设置于所述筒体110；第一坩埚200，所述第一坩埚200设置于所述筒体110内且位于所述隔板120的上方，所述第一坩埚200内设置有第一石墨筒210，所述第一石墨筒210贯穿所述第一坩埚200的底壁；第二坩埚300，所述第二坩埚300设置于所述筒体110内且位于所述隔板120的下方，所述第二坩埚300内设置有第二石墨筒310，所述第二石墨筒310位于所述第一坩埚200的底壁；加热结构400，所述加热结构400位于所述筒体110内，用于加热所述第一坩埚200和所述第二坩埚300；升降杆500，所述升降杆500的底部设置有用于生长碳化硅晶体的籽晶510，当所述隔板120打开时，所述籽晶510能在所述升降杆500的驱动下可选择地移动至所述第一坩埚200或者所述第二坩埚300内。

全文数据：

权利要求：

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