申请/专利权人：北京特思迪半导体设备有限公司

申请日：2024-02-21

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117733719A

主分类号：B24B29/02

分类号：B24B29/02;B24B7/22;B24B49/00;B24B49/16;C09G1/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明提供一种锑化镓晶片的抛光方法及所制备的锑化镓抛光片，一种锑化镓晶片的抛光方法包括如下步骤：（1）对锑化镓晶片进行减薄，去除锑化镓晶片表面的损伤与高点等不平整区域；（2）对步骤（1）减薄后的锑化镓晶片采用抛光布配合中抛抛光液进行中抛；中抛抛光液按质量百分比计包括：氧化铝磨料5～20％，含氯氧化剂1～5％，余量为水。本发明提供了一种新的锑化镓晶片的抛光方法。通过减薄结合中抛光的工艺路线实现对锑化镓晶片的抛光。

主权项：1.一种锑化镓晶片的抛光方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）对锑化镓晶片进行减薄；（2）对步骤（1）减薄后的锑化镓晶片采用抛光布配合中抛抛光液进行中抛；其中，所述中抛抛光液按质量百分比计包括：氧化铝磨料5％～20％，含氯氧化剂1％～5％，余量为水。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京特思迪半导体设备有限公司 一种锑化镓晶片的抛光方法及所制备的锑化镓抛光片

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