申请/专利权人：中建材玻璃新材料研究院集团有限公司

申请日：2023-11-21

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117750861A

主分类号：H10K71/60

分类号：H10K71/60;H10K71/00;H10K71/16;H10K30/82;H10K30/86;H10K30/40;H10K30/50;H10K85/50;C23C14/08

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开了一种基于共掺杂氧化镍空穴传输层的反式钙钛矿电池的制备方法，包括：a.依次用洗涤剂、去离子水和丙酮在45℃下分别超声清洗透明基底25min；b.采用磁控溅射工艺，得到的图形化透明导电电极；c.采用共溅射法在透明导电电极上制备空穴传输层，得到厚度为20～40nm空穴传输层；d.采用共蒸发法在空穴传输层上制备钙钛矿吸收层，得到厚度为300～600nm钙钛矿吸收层；e.采用旋涂法在钙钛矿吸收层上制备电子传输层，得到厚度为60～90nm电子传输层；f.采用电子束蒸发在电子传输层上制备背电极，通过掩膜板蒸发得到厚度为90～120nm背电极。该制备方法得到的电池稳定性好、转换效率高、制备过程简单、成本低廉且易于产业化应用。

主权项：1.一种基于共掺杂氧化镍空穴传输层的反式钙钛矿电池的制备方法，其特征在于，包括：a.依次用洗涤剂、去离子水和丙酮在45℃下分别超声清洗透明基底25min；b.采用磁控溅射工艺，得到的图形化透明导电电极；c.采用共溅射法在透明导电电极上制备空穴传输层，得到厚度为20～40nm空穴传输层；d.采用共蒸发法在空穴传输层上制备钙钛矿吸收层，得到厚度为300～600nm钙钛矿吸收层；e.采用旋涂法在钙钛矿吸收层上制备电子传输层，先将在氯苯中浓度为10mgmL的PCBM溶液以2500rpm的速度旋涂在钙钛矿层表面，然后将在异丙醇中浓度为0.5mgmL的BCP溶液以4000rpm的速度旋涂在PCBM表面，得到厚度为60～90nm电子传输层；f.采用电子束蒸发在电子传输层上制备背电极，膜料为金属Cu和Al，工作气体为纯度为99.99％的Ar，腔体的本底真空度为≤2×10-4Pa，工作压强为1×10-3Pa，电子枪电压为7.5Kv，电流为0.1～0.5A，通过掩膜板蒸发得到厚度为90～120nm背电极。

全文数据：

权利要求：

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