申请/专利权人：深圳芯能半导体技术有限公司

申请日：2023-12-25

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747433A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开了一种沟槽栅型功率器件及其制备方法、元胞版图结构，属于半导体技术领域，该所述沟槽栅型功率器件包括：衬底层、沟槽、体区、源区、层间介质层、接触孔、离子注入区、金属。本发明通过在沟槽上形成栅极结构、通过刻蚀部分层间介质层、体区、源区，形成接触孔，进而在接触孔底部的体区中注入第二导电类型的离子，形成离子注入区。即考虑到层间介质层在拐弯区和非拐弯区由于产生厚度偏差导致的阈值电压的差异。通过控制接触孔到沟道的距离调整离子注入区到沟道的距离，实现阈值电压的调整，从而提高阈值电压的一致性。

主权项：1.一种沟槽栅型功率器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供第一导电类型的衬底层；在所述衬底层表面向内刻蚀形成沟槽；形成位于所述沟槽上的栅极结构；在所述衬底层的表面区域形成第二导电类型的体区；在所述体区上形成第一导电类型的源区；在所述栅极结构和所述源区上形成层间介质层；刻蚀部分所述层间介质层、体区、源区，形成接触孔；在所述接触孔底部的体区中注入第二导电类型的离子，形成离子注入区；在所述接触孔中淀积金属。

全文数据：

权利要求：

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