申请/专利权人：中央民族大学

申请日：2023-11-21

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747685A

主分类号：H01L31/0304

分类号：H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/109;H01L31/0236

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及探测器领域，提供一种提高量子效率的长波红外探测器，其中，提高量子效率的长波红外探测器包括：势垒层外延于底部接触层之上；吸收层外延于势垒层之上；顶部接触层外延于吸收层之上；势垒层与底部接触层、吸收层、顶部接触层的InAs层厚度不同，GaSbAlSbGaSb层的厚度相同。用以解决现有技术中长波红外探测器受限于高暗电流噪声导致性能受损的缺陷，本发明提供的提高量子效率的长波红外探测器，通过势垒层置于底部接触层与吸收层之间，调整势垒层与其它层的InAs层厚度不同，在最大程度上减少晶格失配问题，降低底部接触层、势垒层、吸收层与顶部接触层之间的价带偏移，降低暗电流噪声，提高探测器量子效率。

主权项：1.提高量子效率的长波红外探测器，其特征在于，包括：底部接触层；势垒层，所述势垒层外延于所述底部接触层之上；吸收层，所述吸收层外延于所述势垒层之上；顶部接触层，所述顶部接触层外延于所述吸收层之上；其中，所述底部接触层、所述势垒层、所述吸收层和所述顶部接触层均为InAsGaSbAlSbGaSb的M型超晶格，所述势垒层与所述底部接触层、所述吸收层、所述顶部接触层的InAs层厚度不同，GaSbAlSbGaSb层的厚度相同。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中央民族大学 提高量子效率的长波红外探测器

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