申请/专利权人：华为技术有限公司

申请日：2022-09-14

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117748288A

主分类号：H01S5/042

分类号：H01S5/042

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.22#公开

摘要：本申请涉及一种激光器。包括：基板和其上的半导体发光结构，基板包括依次堆叠的基底、导电层和焊料层；焊料层位于导电层的中间区域，且导电层位于焊料层的两侧的部分分别形成基板的第一电极和第二电极；导电层中的第一隔离沟将第一电极与导电层的其他部分电隔离且第一隔离沟的长度大于或等于腔长、第二隔离沟将第二电极的部分与导电层的其他部分电隔离以在导电层远离出光口的一侧形成注入区域；半导体发光结构的N面电极与焊料层焊接在一起且P面电极通过引线与第一电极连接，或者半导体发光结构的P面电极与焊料层焊接在一起且N面电极通过引线与第一电极连接。降低高功率激光器的失效率，提升器件的整体可靠性，工艺简单且适用范围广。

主权项：1.一种激光器，其特征在于，包括基板和安装在所述基板上的半导体发光结构，所述半导体发光结构包括依次堆叠的P面电极、P面接触层、P面限制层、有源层、N面限制层、缓冲层、衬底、N面接触层和N面电极，所述基板包括基底、位于所述基底上方的导电层和位于所述导电层上方的焊料层；所述焊料层位于导电层的中间区域，且所述导电层位于所述焊料层的一侧的部分形成所述基板的第一电极、所述导电层位于所述焊料层的另一侧的部分形成所述基板的第二电极；所述导电层中设置有第一隔离沟和第二隔离沟，所述第一隔离沟将所述第一电极与所述导电层的其他部分电隔离且所述第一隔离沟的长度大于或等于所述激光器的腔长，所述第二隔离沟将所述第二电极的部分与所述导电层的其他部分电隔离以在所述导电层远离所述激光器出光口的一侧形成注入区域；所述半导体发光结构的N面电极与所述焊料层焊接在一起且P面电极通过引线与所述第一电极连接，或者所述半导体发光结构的P面电极与所述焊料层焊接在一起且N面电极通过引线与所述第一电极连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华为技术有限公司 激光器

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